A.温度升高使半导体导电能力增强
B.微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力
C.适当波长的光照可以改变半导体的导电能力
D.导电能力介于导体与绝缘体之间
第1题
A、室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
B、室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体
C、室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
D、室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
第2题
A、n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数
B、p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D、n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E、p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F、费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
第3题
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。
E、n型半导体依靠导带电子导电。
F、p型半导体依靠价带空穴导电。
G、本征半导体中载流子由本征激发产生。
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
第4题
A、晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B、晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
C、晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D、晶闸管具有PN或NP两层半导体结构。
第5题
A、在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
B、在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
C、在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;
D、在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。
第6题
A、在一定的温度下,稳定状态下的半导体只有一个费米能级
B、准费米能级的分裂的大小直接反映出半导体偏离热平衡态的程度。
C、在一定的温度的非平衡状态下,载流子浓度积仍然是一个常数
D、少子准费米能级的偏离程度大于多子准费米能级的偏离程度
E、对于电子来说,导带费米能级和价带费米能级都是全局性的
F、在非平衡状态下,多子准费米能级的位置并没有发生偏离
第8题
A、空穴带有正电荷,且具有正的有效质量
B、空穴是为了处理半导体导带的导电问题而人为引入的物理量
C、空穴运动的本质是价带中电子的运动
D、p型掺杂将在半导体中引入更多的空穴
第9题
A、N型半导体中多子是电子,少子是空穴
B、P型半导体可以掺磷(P)得到
C、P型半导体主要靠空穴导电
D、向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
第10题
A、半导体材料要发光,必须实现粒子数的反转;
B、非辐射复合会影响发光器件的发光效率;
C、双异质结中对载流子的限制作用是因为存在内建折射率波导;
D、双异质结结面质量会影响发光器件内量子效率。
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