关于杂质半导体，下列描述正确的是（）

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

A、在一定的温度下，稳定状态下的半导体只有一个费米能级

B、准费米能级的分裂的大小直接反映出半导体偏离热平衡态的程度。

C、在一定的温度的非平衡状态下，载流子浓度积仍然是一个常数

D、少子准费米能级的偏离程度大于多子准费米能级的偏离程度

E、对于电子来说，导带费米能级和价带费米能级都是全局性的

F、在非平衡状态下，多子准费米能级的位置并没有发生偏离

A、杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降

B、低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降

C、高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降

D、当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

A、电阻率变化只受散射机构影响

B、温度很低时，电阻率随温度上升而下降，电离杂质散射起主要作用

C、温度较高时，电阻率随温度上升而上升，晶格振动散射起主要作用

D、温度继续升高时，阻率随温度上升而下降，电离杂质散射和晶格振动散射共同起主要作用

E、温度继续升高时，本征激发成为主要矛盾，导致阻率随温度上升而下降

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。

C、中性杂质不会对半导体产生影响。

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级。

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。

J、如果杂质能级（深能级）的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金。

K、如果杂质能级（深能级）的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用。

A、施主杂质在束缚态时带有负电荷

B、施主杂质在束缚态时带有正电荷

C、施主杂质的电离能一般远小于本征半导体的禁带宽度

D、P作为Si的施主时，是一种替位杂质

E、施主能级可位于禁带中

A、温度升高使半导体导电能力增强

B、微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力

C、适当波长的光照可以改变半导体的导电能力

D、导电能力介于导体与绝缘体之间

B、按掺杂区域的类型，三极管可分为NPN型和PNP型两大类

C、三极管有三个电极，分别为基极B、集电极C、反射极E

D、三极管有二个PN结，分别为集电结、反射结

A、硼为施主杂质。

B、硼为受主杂质。

C、形成P型半导体。

D、形成N型半导体。