关于某种杂质半导体的准费米能级，以下描述正确的是？

A、电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度

B、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

C、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

D、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

E、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

F、当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时，半导体处于非平衡态

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

A、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度升高而（ ）

A、单调上升

B、单调下降

C、经过一极小值趋近

D、经过一极大值趋近

对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度升高而（ ）

A、单调上升

B、单调下降

C、经过一极小值趋近

D、经过一极大值趋近

A、这是P型半导体

B、费米能级越高，该半导体的杂质浓度越高

C、该半导体中的少子是电子

D、该半导体中电子和空穴浓度相同

A、n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B、p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C、费米能级距离带边（导带底或价带顶）很近，甚至进入导带或价带

D、n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E、p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F、费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T