如下，对晶闸管的半导体结构描述正确的是：

A、内部是PNPN四层半导体结构的双晶体管模型

B、导通应饱和导通，阻断时只有很小漏电流

C、开通时在门极注入电流，关断时在门极抽取电流

D、阳极、阴极和门极三个连接端

B．GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C．电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D．IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。

A、温度升高使半导体导电能力增强

B、微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力

C、适当波长的光照可以改变半导体的导电能力

D、导电能力介于导体与绝缘体之间

A、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

A、半导体硅具有金刚石型结构

B、每个硅晶胞中包含8个硅原子

C、硅晶胞中的所有硅原子都是等价的

D、位于硅晶胞8个顶角的硅原子与晶胞6个面心的硅原子等价

A、半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。

B、半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。

C、半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。

D、半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带； 绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。

A、室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

B、室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体

C、室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

D、室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

A、n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B、p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C、费米能级距离带边（导带底或价带顶）很近，甚至进入导带或价带

D、n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E、p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F、费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

A、空穴带有正电荷，且具有正的有效质量

B、空穴是为了处理半导体导带的导电问题而人为引入的物理量

C、空穴运动的本质是价带中电子的运动

D、p型掺杂将在半导体中引入更多的空穴