以下关于“简并半导体”的描述正确的是：

A、载流子在电场作用下作漂移运动。

B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动。

C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度。

D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度。

E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系。

F、只有载流子的漂移运动会形成电流，载流子的扩散运动不形成电流。

G、载流子的扩散运动也是定向运动，也会形成电流。

H、在均匀半导体中，如果没有产生非平衡载流子，则不存在载流子的扩散运动。

I、在均匀半导体中，如果在材料的局部区域产生非平衡载流子，则非平衡载流子作扩散运动

J、非均匀半导体中，没有外加电场时，如果没有产生非平衡载流子，则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动。

K、在电场作用下，材料中所有的载流子都作漂移运动。

A、非平衡状态是一定温度下的不稳定状态。

B、非平衡状态一般是由外界作用引起的。

C、非平衡状态只在非简并半导体中存在。

D、非平衡状态下，多子和少子浓度均偏离热平衡状态。

E、对半导体施加光照就会产生非平衡载流子

F、非平衡状态下，其主要作用的的往往是少数载流子

A、导带中电子占据量子态只服从玻尔兹曼分布

B、导带中电子占据量子态服从玻尔兹曼分布和费米分布

C、导带中电子占据量子态只服从费米分布

D、半导体处于简并状态

A、导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B、价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C、费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D、导带中的电子服从费米分布函数

E、价带中的空穴服从费米分布函数

F、费米能级距离带边（导带底或价带顶）很近，甚至进入导带或价带

A、室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

B、室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体

C、室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

D、室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。

A、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

A、温度升高使半导体导电能力增强

B、微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力

C、适当波长的光照可以改变半导体的导电能力

D、导电能力介于导体与绝缘体之间

A、在一定的温度下，稳定状态下的半导体只有一个费米能级

B、准费米能级的分裂的大小直接反映出半导体偏离热平衡态的程度。

C、在一定的温度的非平衡状态下，载流子浓度积仍然是一个常数

D、少子准费米能级的偏离程度大于多子准费米能级的偏离程度

E、对于电子来说，导带费米能级和价带费米能级都是全局性的

F、在非平衡状态下，多子准费米能级的位置并没有发生偏离