以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是

A、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

A、本征半导体就是不掺杂的半导体

B、本征半导体中的载流子是由于本征激发产生的

C、本征激发产生的载流子多少只和温度有关

D、本征激发产生的电子和空穴总是一样多

A.不含杂质和缺陷

B.电阻率最高

C.电子密度和空穴密度相等

D.电子密度与本征载流子密度相等

A.不含杂质与缺陷；

B.电子密度与空穴密度相等；

C.电阻率最高；

C.电子密度与本征载流子密度相等。

此题为判断题(对，错)。