更多“产生沟道热电子的原因是漏区附近极高的横向电场的存在,抑制热电子效应的措施()”相关的问题
第1题
某结型场效应管的夹断电压为-3V,源极电位3V,栅极电位-1V,漏极电位10V,则下述关于该FET说法正确的是
A.P沟道管,工作在可变电阻区
B.N沟道管,工作在放大区
C.P沟道管,工作在截止区
D.N沟道管,工作在截止区
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第2题
某结型场效应管的夹断电压为3V,源极电位1V,栅极电位3V,漏极电位-10V,则下述关于该FET说法正确的是
A.P沟道管,工作在可变电阻区
B.N沟道管,工作在放大区
C.P沟道管,工作在放大区
D.N沟道管,工作在可变电阻区
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第3题
对于沟道长度足够短的MOSFET,其饱和区漏源电流
A.∝(VGS -VT)^2
B.∝W/L
C.∝L
D.∝Cox
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第4题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第5题
对于场效应管工作时,当导电沟道出现预夹断,漏极电流为零
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第6题
N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS:
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第7题
蛋白一经搅打就会起泡,原因是搅打蛋清时,由于蛋白质分子发生了横向结合形成薄膜从而产生起泡作用
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第8题
钢材的可焊性能,是指在一定的焊接条件下,在焊缝及附近过热区不产生裂缝及硬脆现象的力学性能
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第9题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应:
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第10题
当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS
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第11题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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