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[单选题]

对于沟道长度足够短的MOSFET,其饱和区漏源电流

A.∝(VGS -VT)^2

B.∝W/L

C.∝L

D.∝Cox

答案
B、∝W/L
更多“对于沟道长度足够短的MOSFET,其饱和区漏源电流”相关的问题

第1题

作为放大器件工作时,耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置
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第2题

N沟道耗尽型MOSFET,已知夹断电压VPN= -1V,当vGS=1.5V时,夹断点电压对应的VDS = V
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第3题

测得某MOSFET的漏源电压,栅源电压值以及阈值电压:VDS=-3V,VGS=-2V,VTP=-1V,试判断该管子工作在 区

A.饱和

B.截止

C.可变电阻

D.无法判断

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第4题

N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态
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第5题

海产动物油脂中含大量脂肪酸,富含维生素A和维生素D

A.长链饱和

B.短链饱和

C.长链多不饱和

D.短链不饱和

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第6题

结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第7题

增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零
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第8题

当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS
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第9题

测量题2电路中,若Rp=0,试判断电路工作状态

A.线性区

B.饱和区

C.截止区

D.深度饱和区

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第10题

铁磁材料从不饱和区进入饱和区后,磁阻会

A.不变

B.增大

C.减小

D.不能确定

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第11题

轴的长度一般长轴或者短轴的长度
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