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[主观题]

当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS

答案
错误
更多“当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS”相关的问题

第1题

场效应管用于放大电路时,应工作于。 A: 截止区 B: 可变电阻区 C: 饱和区
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第2题

N沟道增强型场效应管输出特性的预夹断轨迹由vGD = VTN的点组成
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第3题

场效应管中,放大区和可变电阻区为同一区域
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第4题

增强型MOS场效应管由于预先在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道
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第5题

结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第6题

当vGD =VTN时,增强型NMOS管导电沟道出现预夹断
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第7题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应:

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第8题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应:

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第9题

N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态
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第10题

增强型MOS管,在无外加偏置电压时,不存在导电沟道
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第11题

N沟道结型场效应管工作在线性放大区时, VGS为(正/负)电压,VDS为(正/负)电压

A.正,正

B.正,负

C.负,正

D.负,负

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