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[单选题]

N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS:

A.越大

B.越小

C.不变

D.无法确定

答案
B、越小
更多“N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS:”相关的问题

第1题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应:

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第2题

N沟道耗尽型MOSFET,已知夹断电压VPN= -1V,当vGS=1.5V时,夹断点电压对应的VDS = V
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第3题

N沟道结型场效应管工作在线性放大区时, VGS为(正/负)电压,VDS为(正/负)电压

A.正,正

B.正,负

C.负,正

D.负,负

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第4题

结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第5题

N沟道增强型MOS管的开启电压VTN < 0, P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP > 0
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第6题

结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第7题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应:

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第8题

耗尽型PMOS管制作时,在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子,在没有外加栅源电压下,就存在导电沟道
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第9题

绝缘栅型场效应管又称为MOS场效应管或简称为MOS管,由于结构上的不同又分

A.N型和P型

B.NPN型和PNP型

C.增强型和耗尽型

D.绝缘栅型和结型

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第10题

N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为

A.正值

B.负值

C.不确定

D.0

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第11题

场效应管构成的三种基本组态放大电路中,输入电阻最小的是 组态放大电路

A.共源

B.共栅

C.共漏

D.一样大

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