更多“N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS:”相关的问题
第1题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应:
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第2题
N沟道耗尽型MOSFET,已知夹断电压VPN= -1V,当vGS=1.5V时,夹断点电压对应的VDS = V
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第3题
N沟道结型场效应管工作在线性放大区时, VGS为(正/负)电压,VDS为(正/负)电压
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第4题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型,结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第5题
N沟道增强型MOS管的开启电压VTN < 0, P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP > 0
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第6题
结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻
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第7题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应:
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第8题
耗尽型PMOS管制作时,在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子,在没有外加栅源电压下,就存在导电沟道
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第9题
绝缘栅型场效应管又称为MOS场效应管或简称为MOS管,由于结构上的不同又分
A.N型和P型
B.NPN型和PNP型
C.增强型和耗尽型
D.绝缘栅型和结型
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第10题
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为
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第11题
场效应管构成的三种基本组态放大电路中,输入电阻最小的是 组态放大电路
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