第2题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()
A、
B、
C、
D、
第3题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()
A、
B、
C、
D、
第6题
室温下,某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为,电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为,则其漂移电流密度为( )。
A、
B、
C、
D、
第7题
室温下,某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为,电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为,则其漂移电流密度为( )。
A、
B、
C、
D、
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