室温下，某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为，电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为，则其漂移电流密度为（）。

试说明在室温下，某半导体的电子浓度时，其电导率σ为最小值。式中n_i是本征载流子浓度，μ_p、μ_n分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。

某p型半导体掺杂浓度N_A=10¹⁶cm^-3，少子寿命τ_n=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=10¹⁸cm^-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3)。

温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中电子浓度为（）

A、

B、

C、

D、

A.与温度无关，与杂质浓度无关

B.与温度有关，与杂质浓度有关

C.与温度无关，与杂质浓度有关

D.与温度有关，与杂质浓度无关

A、

B、

C、

D、

A、

B、

C、

D、

A、减小

B、增大

C、不变

D、几乎不变