温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为（）

温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中电子浓度为（）A、B、C、D、

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。C、中性杂质不会对半导体产生影响。D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。G、杂质会在半导体的禁带中引入能级。H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。J、如果杂质能级（深能级）的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金。K、如果杂质能级（深能级）的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用。

光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）

A、1.82（eV）

B、18.2（eV）

C、

D、0.182（eV）

A、00H

B、A0H

C、80H

D、FFH

A、多糖

B、多肽

C、蛋白质

D、脂多糖

A、“源”窗口

B、“节目”窗口

C、“效果”窗口

D、“调音台”窗口

A、A、这种拍卖方式的快捷性

B、B、出价可能超出预估价

C、C、出价可能低于预估价

D、D、以上都对

A、加水

B、升温

C、加压

D、加NaAc固体

光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）

A、

B、

C、1.82J

D、1.83eV