不会影响半导体本征载流子浓度的因素是

A、杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降

B、低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降

C、高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降

D、当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

A.与温度无关，与杂质浓度无关

B.与温度有关，与杂质浓度有关

C.与温度无关，与杂质浓度有关

D.与温度有关，与杂质浓度无关

室温下，某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为，电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为，则其漂移电流密度为（ ）。

A、

B、

C、

D、

室温下，某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为，电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为，则其漂移电流密度为（ ）。

A、

B、

C、

D、

A、减小

B、增大

C、不变

D、几乎不变

温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中电子浓度为（）

A、

B、

C、

D、

温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为（）

A、

B、

C、

D、