A. 1.12
B. B.2.14
C. C.1.42
D. D.0.92
第1题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()
A、
B、
C、
D、
第2题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()
第3题
已知本征硅材料的禁带宽度,半导体材料的本征吸收长波限为()
A、1.216(um)
C、1.03(um)
第4题
A、波长为500的光
B、波长为600的光
C、波长为550的光
D、波长为300的光
第5题
已知半导体发光材料的禁带宽度为1.24eV,试计算其中心辐射波长。
第6题
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后,施主能级和硅的导带底的能级差为0.045eV。求此掺杂半导体能吸收的光的最大波长。
第7题
第8题
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后,施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能吸收的光子的最大波长。
第9题
第10题
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