关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。

A、电阻率变化只受散射机构影响

B、温度很低时，电阻率随温度上升而下降，电离杂质散射起主要作用

C、温度较高时，电阻率随温度上升而上升，晶格振动散射起主要作用

D、温度继续升高时，阻率随温度上升而下降，电离杂质散射和晶格振动散射共同起主要作用

E、温度继续升高时，本征激发成为主要矛盾，导致阻率随温度上升而下降

A. 温度提高导电能力提高

B. 有两种载流子

C. 电阻率很小，接近金属导体

D. 参杂质后导电能力提高

A、增大

B、减小

C、不变

D、先减小，后增大

E、先增大，后减小

A、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

A. 热电偶温度计

B. 水银温度计

C. 电阻温度计

D. 酒精温度计

B. 热敏电阻

C. 磁敏电阻

D. 力敏电阻

A、在一定的温度下，稳定状态下的半导体只有一个费米能级

B、准费米能级的分裂的大小直接反映出半导体偏离热平衡态的程度。

C、在一定的温度的非平衡状态下，载流子浓度积仍然是一个常数

D、少子准费米能级的偏离程度大于多子准费米能级的偏离程度

E、对于电子来说，导带费米能级和价带费米能级都是全局性的

F、在非平衡状态下，多子准费米能级的位置并没有发生偏离

A. 热电阻传感器

B. B.热敏电阻传感器

C. C.热电偶传感器

D. D.热敏电偶传感器