设N沟道增强型MOSFET的参数为当Vcs=2V_T,MOSFET工作在饱和区,试计算此时场效管的工作电流I≇

设N沟道增强型MOSFET的参数为V_T=1V，W=100μm，L=5μm，μ_N=650cm²/(V·s)，C_OX=76.7×10^-9F/cm²。当v_GS=2V_T，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效管的工作电流I_D。

已知N沟道增强型MOSFET的μ_n=1000cm²/(V·s)，C_ox=3×10^-8F/cm²，，|V_A|=200V，V_DS=10V，工作在饱和区，试求：

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知V_GS(th)，=2V，μ_nC_ox=200μA/V²，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求I_D=0.4mA，V_D=1V，试确定R_D、R_S值。

(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。

(1)若N沟道增强型MOSFET的源极和衬底接地，栅极和漏极短路，推导出描述源、漏两极I-V特性的公式(假设V_TH为常数)．

  (2)若ε_ro=4，x_o=100nm，Z/L=10，μ_n=1000cm²/(V·S)，V_TH=0.5V，画出I-V曲线．

  (3)计算V_G-V_TH=1V时的R_on．

  (4)若L/Z=1.0，重复上题.

电路如下图所示，设R₁=R₂=100kΩ，V_DD=5V，R_d=7.5kΩ，V_T=-1V，K_p=0.2mA/V²。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流I_D和漏源电压V_DS。