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[主观题]

已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2,VP=0.5V,iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅

已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2,VP=0.5V,iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压VGS和漏源电压vDS等于多少?

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更多“已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2,VP=0.5V,iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅”相关的问题

第1题

在温度和压力不变条件下 , 1 L NO 2 按 2NO 2 ≒ 2 NO + O 2 分解 , 达到平衡时体积变为 1.2 L, 则 NO 2 的转化率为 ()

A.10%

B.20%

C.40%

D.50%

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第2题

气体在温度不变时,体积和压力成()。

A.反比

B. 正比

C. 1:2

D. 1:1

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第3题

气体在温度不变时,体积和压力成()。

A.反比

B.正比

C.1:2

D.1:1

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第4题

设被动土压力和主动土压力充分发挥时所需的挡土墙水平位移分别为1和2,则有()。

A.△1>△2

B.△l≥△2

C.△l<△2

D.△l≤△2

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第5题

设被动土压力和主动土压力充分发挥时所需的挡土墙水平位移分别为1和2,则有()。

A.△1>△2

B. △l≥△2

C. △l<△2

D. △l≤△2

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