已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.0mA/V2,VP=0.5V,iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压VGS和漏源电压vDS等于多少?
第1题
A.10%
B.20%
C.40%
D.50%
第2题
A.反比
B. 正比
C. 1:2
D. 1:1
第3题
B.正比
C.1:2
D.1:1
第4题
A.△1>△2
B.△l≥△2
C.△l<△2
D.△l≤△2
第5题
B. △l≥△2
C. △l<△2
D. △l≤△2
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