双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图LP3－7所示，已知VGS（th)=2 V，μnCox=200μA／V2，W=40μm，l=10

在某放大电路中，分别测得两个三极管各电极的对地电位，如图LT2-1所示，试判断它们是NPN型管还是PNP型管?是硅管还是锗管?并区分出e、b、c三个电极。

图LT2-3(a)所示电路，已知VCC=12 V，VBE(on)=0．7 V，β=50，RB1=100 kΩ，RB2=20 kΩ，RC=4 kΩ，RE=1 kΩ，试计算电路的直流工作点。

图LT2-3(a)所示的分压偏置电路，已知三极管工作在放大模式，试写出电路静态电流ICQ的表达式。

电路如图LT2-2所示，已知VBE(on)=0．7 V，VCE(sat)≈0．3 V，试判断三极管工作状态，并计算三极管集电极电位VC。

由哪些电流成分组成。

图LP2-14(a)所示放大电路中，硅NPN晶体三极管β=100，ICEO≈0，IC=2 mA，VBE(on)=0．7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5～7)V，试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管，电源电压数值不变，试问晶体管与外电路应如何连接，为保持集电极电压|VO|、电流IC不变，试计算R1、R2值。

试用图解法确定图LP2-12(a)所示电路的工作点IBQ、VBEQ、ICQ、VCEQ。已知三极管的输入和输出特性曲线如图LP2-12(b)、(c)所示。