已知N沟道增强型MOSFET的μn=1 000cm2／V.s，Cox=3×10-8F／cm2，W／l=1／1．47，|VA|=200 V，VDS=10 V，工作

在图LP3-4所示电路中，已知各管的IDQ=0．1 mA，VGS(th)=2 V，l=10μm，μnCox=20μA／V2，设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。

图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。

(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。

在图LP3-2所示电路中，假设两管μn、Cox相同，VGS(th)=0．75 V，ID2=1 mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W／l)是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。

在图LT3-4所示电路中，已知VGS(th)=-1．5 V，增强型MOS管的μpCoxW／(2l)=80μA／V2，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。

图LT3-3所示电路，已知管子开启电压VGS(th)=2 V，器件工作在饱和模式时ID=1 mA，为维持器件工作在饱和模式，试求电阻R的变化范围。

各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示，试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off)，并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。

场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示，试判断场效应管的类型，画出相应器件符号，确定VGS(th)，并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。

，发现欧姆表上阻值仍近似为R1，再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连，得欧姆表上阻值为R2,且R2《R1，试确定该场效应管为N沟道还是P沟道。

图LP3-15所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若VI=200 mV，μnCoxW／(2l)=0．01mA／V2，VGS(th)=1．5 V，试分别求出VGS=2．5 V、3 V时的VO值，并进行分析。

由有源电阻构成的分压器如图LP3-14所示，设各管μCoxW／(2l)相同，|VGS(th)|=1 V，λ=0，试指出各管工作区及其VO值。