设N沟道增强型MOSFET的参数为VT=1V，W=100μm，L=5μm，μN=650cm2／（V·s)，COX=76.7×10－9F／cm2。当vGS=2VT，MOSFET工

A．Q = K ， Δ rGm =0

B．Q >K ， Δ rGm >0

C．Q< k ， δ rgm< 0

D．q< k ， δ rgm >0

A．Q = KӨ，ΔrGmӨ = 0

B．Q > KӨ，ΔrGmӨ> 0

C．Q < KӨ，ΔrGmӨ< 0

D．Q < KӨ，ΔrGmӨ> 0

A．Q > Kθ, ΔrGm> 0

B．Q < Kθ, ΔrGm< 0

C．Q = Kθ, ΔrGm= 0

D．Q < Kθ, ΔrGm> 0

A．J = K ° ， D rGm ° = 0

B．J >K ° ， D rGm ° >0

C．J< k ° ， d rgm °< 0

D．j< k ° ， d rgm ° >0

，反应达到平衡时，若再通入一定量的N₂(g)，则、Q、和△_rG_m的关系为( )。

(A) Q=, △_rG_m=0 (B) Q＞, △_rG_m＞0

(C) Q＜, △_rG_m＜0 (D) Q＜, △_rG_m＞0

A．rGmΘ的关系为

B．Q=KΘ，△rGmΘ=0

C．Q＞KΘ，△rGmΘ＞0

D．Q＜KΘ，△rGmΘ＜0

E．Q＜KΘ，△rGmΘ＞0

A．反应的△rGmΘ

B．反应的Kө

C．当前的Q/Kө

D．以上都不正确

A．反应的△rGmΘ

B．反应的Kө

C．当前的Q/Kө

D．以上都不正确