对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？

A、

B、

C、

D、

E、

A、平坦能带状态

B、少子反型状态

C、深耗尽状态

D、本征状态

A、多子积累

B、多子耗尽

C、平坦能带

D、本征状态

E、少子反型

F、少子积累

G、少子耗尽

A、

B、

C、

D、

A、多子积累

B、少子积累

C、多子耗尽

D、少子反型

A、

B、

C、

D、

A、

B、

C、

D、

A、多子积累

B、多子耗尽

C、少子反型

D、少子积累

E、少子耗尽

F、多子反型

G、平带

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。

E、n型半导体依靠导带电子导电。

F、p型半导体依靠价带空穴导电。

G、本征半导体中载流子由本征激发产生。

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。