对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？

A、少子反型

B、多子积累

C、多子耗尽

D、本征状态

A、平坦能带状态

B、少子反型状态

C、深耗尽状态

D、本征状态

A、本征状态

B、平坦能带状态

C、多子积累状态

D、深耗尽状态

A、多子积累

B、多子耗尽

C、平坦能带

D、本征状态

E、少子反型

F、少子积累

G、少子耗尽

A、金属的费米能级比半导体低

B、半导体表面势为正

C、半导体表面能带向下弯曲

D、半导体表面处于积累状态

E、以上说法都不对

A、半导体表面附近的空穴不能产生

B、半导体表面附近的电子不能产生

C、半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化

D、半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化

E、半导体发生了深耗尽

F、以上均不是

A、大，大

B、大，小

C、小，大

D、小，小

B.与导体表面平行

C.与导体表面既不平行也不垂直

D.由具体情况决定