更多“理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?”相关的问题
第1题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?
A、平坦能带状态
B、少子反型状态
C、深耗尽状态
D、本征状态
点击查看答案
第2题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?
A、本征状态
B、平坦能带状态
C、多子积累状态
D、深耗尽状态
点击查看答案
第3题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?
点击查看答案
第4题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?
点击查看答案
第5题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面进入强反型的条件是?
点击查看答案
第6题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面进入强反型的条件是?
点击查看答案
第7题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面进入强反型的条件是?
点击查看答案
第8题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?
点击查看答案
第9题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?
点击查看答案
第10题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?
点击查看答案