A.IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流,对输出电压大小无特别规定。
B.GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
C.MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大,对输出电压大小无特别规定。
D.MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大,对输出电压大小有规定。
第1题
A、电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
B、电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
C、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。
D、流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。
第2题
A、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用光隔离。
B、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用绝缘材料隔离。
C、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
D、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用磁隔离。
第3题
A、缓冲电路又称吸收电路,目的是吸收电力电子器件的热量。
B、缓冲电路又称吸收电路,目的是使器件的开关速度变为缓慢。
C、缓冲电路又称吸收电路,目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。
D、缓冲电路又称吸收电路,目的是抑制器件内因过电压、过电流,但并没有减小器件的开关损耗。
第4题
A、一般工作在开关状态
B、由信息电子电路控制
C、需要驱动电路来连接其控制电路和功率主电路
D、自身功率损耗仍大于信息电子器件,一般需要散热器
第5题
A、这是一层低掺杂N区
B、低掺杂N区越厚,电力电子器件能承受的反向电压就越高
C、由于N-区的存在,电力MOSFET会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
D、由于N-区的存在,GTR会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
E、由于N-区的存在,电力二极管会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
F、低掺杂N区一般采用 P-N-i 结构
G、由于N-区的存在,IGBT会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
第6题
A、如果电力电子装置中已经安装了快速熔断器,则不需要其它过电流保护措施。
B、对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件,需采用电子电路进行过电流保护,响应最快。
C、快速熔断器仅用于部分区段的过载保护。
D、快速熔断器仅用于短路保护。
第7题
A、电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B、能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件。
C、电力电子器件一般都工作在开通状态。
D、电力电子器件一般都工作在关断状态。
第8题
A、电力电子器件可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
B、电力电子器件是电子器件的总称。
C、电力电子器件可用于电力系统中,实现电能的变换或控制的器件。
D、电力电子器件不能直接用于主电路中,只是实现电能的变换或控制的电子器件。
第9题
A、器件导通时的电流由外电路决定
B、器件阻断时的阻抗很大
C、断态损耗很小,可基本忽略不计
D、通态损耗往往成为器件功率损耗的主因
E、开关损耗往往成为器件功率损耗的主因
第10题
A、需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。
B、雷击过电压是由电力电子装置外部产生的,不需要采取措施进行保护。
C、电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。
D、电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压4类。
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