A.这是一层低掺杂N区
B.低掺杂N区越厚,电力电子器件能承受的反向电压就越高
C.由于N-区的存在,电力MOSFET会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
D.由于N-区的存在,GTR会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
E.由于N-区的存在,电力二极管会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
F.低掺杂N区一般采用 P-N-i 结构G、由于N-区的存在,IGBT会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
第1题
A、器件导通时的电流由外电路决定
B、器件阻断时的阻抗很大
C、断态损耗很小,可基本忽略不计
D、通态损耗往往成为器件功率损耗的主因
E、开关损耗往往成为器件功率损耗的主因
第2题
A、一般工作在开关状态
B、由信息电子电路控制
C、需要驱动电路来连接其控制电路和功率主电路
D、自身功率损耗仍大于信息电子器件,一般需要散热器
第3题
A、电力电子器件并联时,要采取均流措施
B、电力电子器件并联时,要采取均压措施
C、电力电子器件串联时,要采取均流措施
D、电力电子器件串联时,要采取均压措施
第4题
A、IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流,对输出电压大小无特别规定。
B、GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
C、MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大,对输出电压大小无特别规定。
D、MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大,对输出电压大小有规定。
第5题
A、转换功率巨大,导通时流过电流大、关断时承受反向电压大
B、需要由信息电子电路驱动
C、工作时通常需要安装散热装置
D、器件通常工作在放大状态
第6题
A、缓冲电路又称吸收电路,目的是吸收电力电子器件的热量。
B、缓冲电路又称吸收电路,目的是使器件的开关速度变为缓慢。
C、缓冲电路又称吸收电路,目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。
D、缓冲电路又称吸收电路,目的是抑制器件内因过电压、过电流,但并没有减小器件的开关损耗。
第7题
B、转换功率巨大,导通时流过电流大、关断时承受反向电压大
C、需要由信息电子电路驱动
D、工作时通常需要安装散热装置
第8题
A、电力电子器件可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
B、电力电子器件是电子器件的总称。
C、电力电子器件可用于电力系统中,实现电能的变换或控制的器件。
D、电力电子器件不能直接用于主电路中,只是实现电能的变换或控制的电子器件。
第9题
A、电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
B、电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
C、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。
D、流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。
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