关于电力电子装置过电流保护，表述正确的是下面哪一个？

A、缓冲电路又称吸收电路，目的是吸收电力电子器件的热量。

B、缓冲电路又称吸收电路，目的是使器件的开关速度变为缓慢。

C、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。

D、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。

A、需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。

B、雷击过电压是由电力电子装置外部产生的，不需要采取措施进行保护。

C、电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。

D、电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压4类。

A、IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。

B、GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

C、MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。

D、MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。

A、电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗高的特点。

B、电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。

C、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。

D、流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。

A、直流断路器

B、快速熔断器

C、过电流继电器

A、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用光隔离。

B、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用绝缘材料隔离。

C、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。

D、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用磁隔离。

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

A、光隔离采用变压器

B、光隔离采用光电耦合器

C、磁隔离采用变压器

D、磁隔离采用光电耦合器

A. 功率晶体管GTR

B. IGBT

C. 功率MOSFET

D. 晶闸管

A、一般工作在开关状态

B、由信息电子电路控制

C、需要驱动电路来连接其控制电路和功率主电路

D、自身功率损耗仍大于信息电子器件，一般需要散热器