如下所述，关于电力电子装置过电压，表述正确的是：

A、如果电力电子装置中已经安装了快速熔断器，则不需要其它过电流保护措施。

B、对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护，响应最快。

C、快速熔断器仅用于部分区段的过载保护。

D、快速熔断器仅用于短路保护。

A、电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗高的特点。

B、电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。

C、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。

D、流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。

A、IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压大小无特别规定。

B、GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

C、MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出电压大小无特别规定。

D、MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出电压大小有规定。

A、缓冲电路又称吸收电路，目的是吸收电力电子器件的热量。

B、缓冲电路又称吸收电路，目的是使器件的开关速度变为缓慢。

C、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。

D、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。

A、相比于在间歇性能源中的作用，电力电子变换器在持续性能源系统中的作用更大。

B、电力电子变换器在间歇性能源系统中有很大的作用。

C、电力电子变换器在间歇性能源系统中的作用有限，几乎可以忽略不计。

D、即使没有电力电子变换器，光伏系统也可以以在最大功率点附近输出能量。

A、一般工作在开关状态

B、由信息电子电路控制

C、需要驱动电路来连接其控制电路和功率主电路

D、自身功率损耗仍大于信息电子器件，一般需要散热器

A、光隔离采用变压器

B、光隔离采用光电耦合器

C、磁隔离采用变压器

D、磁隔离采用光电耦合器

A、这是一层低掺杂N区

B、低掺杂N区越厚，电力电子器件能承受的反向电压就越高

C、由于N-区的存在，电力MOSFET会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

D、由于N-区的存在，GTR会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

E、由于N-区的存在，电力二极管会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

F、低掺杂N区一般采用 P-N-i 结构

G、由于N-区的存在，IGBT会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾

A、该电路是三相整流电路,控制角为30°

B、该电路是三相整流电路,控制角为60°

C、该电路是三相逆变电路,逆变角为60°

D、该电路是三相逆变电路,逆变角为30°