A.增加
B.不变
C.减少
D.不确定
第1题
A. p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B. 在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C. p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。
D. 与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
第2题
A、减小低掺杂区的掺杂浓度
B、提高P区和N区的掺杂浓度
C、选用禁带宽度高的半导体材料
D、选用本征载流子浓度小的半导体材料
第4题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()
A、
B、
C、
D、
第5题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为()
A、
B、
C、
D、
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