A.1eV
B.0.5eV
C.2.3eV
D.5eV
第1题
第2题
已知本征硅材料的禁带宽度,半导体材料的本征吸收长波限为()
A、1.216(um)
B、
C、1.03(um)
D、
第3题
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
第4题
A、大于
B、等于
C、小于
D、短于
第5题
第6题
已知半导体发光材料的禁带宽度为1.24eV,试计算其中心辐射波长。
第7题
半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知GaAs材料的Eg=1.43eV,某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV,求它们的发射波长。
第8题
第9题
此题为判断题(对,错)。
第10题
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