A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B. 在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C. p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。
D. 与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
第1题
A. 电流的实际方向不一定与其参考方向一致
B. 电流的参考方向可以任意选定
C. 电流的实际方向即为正电荷移动的方向
D. 电流总是从电源的正极流向电源的负极
第4题
以下有关电流密度的说法正确的有()。
A、电流密度的计算公式:J=I/S
B、电流密度的单位是A/cm2
C、在直流电路中,均匀导线横截面上的电流密度是均匀的
D、导线允许通过的电流强度随导体的截面不同而不同
第5题
A、导电媒质中电荷运动形成的电流称为传导电流
B、自由空间中电荷运动形成的电流称为运流电流
C、电流密度矢量在各处都不随时间发生变化的电流称为恒定电流
D、对于观察者没有相对运动的电荷所引起的场为恒定电场
第7题
A. 当无法确定方向时,可以任意假定电流和电压的正方向
B. 电路的电压和电流的正方向设为相同,则电压和电流称为关联正方向
C. 设电流和电压为关联正方向时,在电路途中,可以指标出电流或电压的正方向
D. 电流和电压为非关联正方向时,计算的电流或电压值必有一个为负值
第8题
A、根据公式可知位移电流的实质是磁场的变化率;
B、根据公式可知位移电流的实质是电场的变化率;
C、根据公式可知位移电流的实质是电场的变化率;
D、根据公式可知位移电流的实质是磁场的变化率。
第9题
A. 潜供电流对灭弧产生影响,将使短路时弧光通道去游离受到严重阻碍
B. 潜供电流存在,会导致失灵保护误动
C. 潜供电流主要影响单相重合闸
D. 只要时间整定合理,三相重合闸、特殊重合闸都可以避免潜供电流的影响
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