采用悬浮区熔提纯后的硅中基硼含量计算需要的参数包括______

A.少子寿命

B.电阻率

C.空穴迁移率

D.电子电荷

A.电子浓度 n= 空穴浓度 p

B.电子迁移率 μ n = 空穴迁移率 μ p

C.n 2 × μ n = p 2 × μ p

D.n × μ n 2 = p × μ p 2

A.改良西门子法

B.硅烷法

C.悬浮区熔法

D.流化床法

A.迁移率与杂质离子有关

B.低温下杂质离子散射其主要作用

C.高温下声子散射其主要作用

D.电子迁移率不受温度影响

A.材料的电阻率

B.材料的载流子迁移率

C.控制电流

D.霍尔元件的厚度

A.空穴

B.电子

C.光敏

D.热敏

A.硅提纯

B.硅锭/硅片生产

C.光伏电池制作

D.光伏电池组件制作

E.聚光镜制作

A.总迁移率

B.迁移率

C.净迁移率

D.总和迁移率

A.砷

B.硅

C.锗

D.硼