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[主观题]

发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()

答案
注入效率;下降;发射区禁带变窄;俄歇复合增强
更多“发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()”相关的问题

第1题

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏

D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

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第2题

晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第3题

以下属于晶体管能实现电流放大作用的内部条件的有()

A.基区很薄且掺杂浓度低

B.发射区掺杂浓度高

C.集电结面积大

D.发射结正偏,集电结反偏

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第4题

NPN型和PNP型晶体管都含有掺杂区()

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.放大区

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第5题

何为高掺杂效应?

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第6题

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高()
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第7题

三极管结构的三个区分别为()

A.基区

B.集电区

C.发射区

D.死区

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第8题

发射区和回收区均应该是人烟稀少的地方,地势 ,地质结构稳定

A.起伏

B.平坦

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第9题

p型硅掺杂IV族元素,n型硅掺杂III族元素()

A.正确

B.错误

此题为判断题(对,错)。

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第10题

对于半导体材料,若(),导电能力减弱。

A.环境温度降低

B.掺杂金属元素

C.增大环境光照强度

D.掺杂非金属元素

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第11题

晶体三极管的基区一般做得很薄,且掺杂很轻,多数载流子的浓度很高。()
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