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[主观题]

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏

D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

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更多“ 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。”相关的问题

第1题

以下属于晶体管能实现电流放大作用的内部条件的有()

A.基区很薄且掺杂浓度低

B.发射区掺杂浓度高

C.集电结面积大

D.发射结正偏,集电结反偏

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第2题

晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第3题

晶体三极管的基区一般做得很薄,且掺杂很轻,多数载流子的浓度很高。()
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第4题

NPN型和PNP型晶体管都含有掺杂区()

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.放大区

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第5题

晶体管具备电流放大的内部条件是()。
晶体管具备电流放大的内部条件是()。

A.基区薄而其杂质浓度低

B.基区杂质浓度高

C.降低发射区杂质浓度

D.加强电子在基区的复合

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第6题

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高()
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第7题

杂质半导体中起导电作用的主要是多子,多子数量取决于掺杂浓度()
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第8题

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子

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第9题

管在放大状态下,正偏的发射结和反偏的集电结都促进发射区的自由电子扩散到基区()
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第10题

三极管结构的三个区分别为()

A.基区

B.集电区

C.发射区

D.死区

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