A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏
D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏
第1题
A.基区很薄且掺杂浓度低
B.发射区掺杂浓度高
C.集电结面积大
D.发射结正偏,集电结反偏
第2题
A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
第3题
第4题
A.发射区
B.基区
C.集电区
D.放大区
第5题
A.基区薄而其杂质浓度低
B.基区杂质浓度高
C.降低发射区杂质浓度
D.加强电子在基区的复合
第6题
第7题
第8题
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
E.空穴
F.自由电子
第9题
第10题
A.基区
B.集电区
C.发射区
D.死区
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