A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第1题
第2题
A.没有
B.存在
第3题
第4题
A.不能形成导电沟道
B.漏极电压为零
C.能够形成导电沟道
D.漏极电流不为零
第5题
A.pnp
B.p沟道
C.npn
D.n沟道
第6题
第7题
格控制扩散结深的方法来控制沟道长度,以提高它的()。由于V-MOSFET的沟道短,栅漏间的()较小,其工作频率可达到20GHz。
第8题
第9题
第10题
A.反向偏置
B.正向偏置
C.正向、反向偏置均可
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