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[单选题]

下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（)。

A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分

B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应

C.烘烤的温度一般在300℃左右

D.烘烤的时间越长越好

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更多“下列关于曝光后烘烤的说法正确的是()。”相关的问题

第1题

上芯后烘烤时,S210的烘烤曲线和DAF膜的烘烤曲线是一样的,所以使用这两种材料的产品可以在同一烘箱中烘烤。（)

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第2题

泡夫成型后，即可放入烘烤箱内烘烤，烘烤泡夫的温度一般在200℃左右。（)

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第3题

奈雪熊宝宝的烘烤方式为：压烤盘烘烤7分钟后，去烤盘烘烤5分钟。（）

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第4题

水含量测试NG后的处理方法为（）

A.增加真空循环烘烤2次

B.增加30min烘烤

C.温度增加5℃烘烤30min

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第5题

在汽车生产厂内，一般轿车车身的涂装系统是（)。

A.一涂层一次烘烤

B.二涂层二次烘烤

C.三涂层三次烘烤

D.四涂层四次烘烤

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第6题

如煤气、烘烤器、包衬材质等客观原因造成烘烤不透的情况，要根据具体情况适当延长烘烤时间，以保证烘烤效果。（)

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第7题

影响混酥制品成熟的因素主要有三个方面，一是烘烤时间，二是烘烤温度，三是烘烤环境条件。（)

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第8题

铁水罐烘烤制度必须规定（)。

A.A. 煤气流量

B.B. 烘烤地点

C.C. 烘烤时间

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第9题

硬质面包烘烤成熟时，如果炉温过低，面粉中酶的作用时间延长，面筋凝固随之推迟，造成面包烘烤时间延长、水分蒸发过多、表皮干硬、制品颜色较浅的不良后果。（)

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第10题

涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（)。

A.后烘

B.去水烘烤

C.软烤

D.烘烤

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