在图LT4-2(a)所示的三级直接耦合放大器中,已知各管β=100,|VBE(on)|=0.7 V,IBQ可忽略,要求ICQ1=1 mA,ICQ2=1.4 mA,ICQ3=1.6 mA,各管的|VCEQ|=2 V,试:(1)计算各电阻值和各管的VCQ值。(2)将T2改为NPN管,如图LT4-2(b)所示,调整RC2、RE2,保证ICQ2不变,试指出电路能否正常工作。
第1题
测得总电压增益Av明显低于Av1Av2。 (2)两个单级放大器负载短路时的电流增益分别为Ai1、Ai2两级级联后测得总电流增益Ai≈Ai1Ai2。 (3)测得放大器的源电压增益Avs远小于电压增益Av现调节放大器的输入电阻,发现Avs≈Av。
第2题
在饱和区,试求: (1)漏极电流IDQ分别为1 mA、10 mA时相应的跨导gm,输出电阻rds放大因子μ。 (2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值。 (3)画出小信号电路模型。
第3题
在图LP3-4所示电路中,已知各管的IDQ=0.1 mA,VGS(th)=2 V,l=10μm,μnCox=20μA/V2,设沟道长度调制效应忽略不计。试分别求出沟道宽度W1、W2、W3。
第4题
图LP3-3所示电路,P沟道增强型MOSFET的μpCoxW/(2l)= 40μA/V2,VGS(th)=-1 V,若忽略沟道长度调制效应。
(1)试证:对于任意Rs值,场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12.5 kΩ时,试求电压VO值。
第5题
在图LP3-2所示电路中,假设两管μn、Cox相同,VGS(th)=0.75 V,ID2=1 mA,若忽略沟道长度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
第6题
在图LT3-4所示电路中,已知VGS(th)=-1.5 V,增强型MOS管的μpCoxW/(2l)=80μA/V2,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm、rds值。
第7题
图LT3-3所示电路,已知管子开启电压VGS(th)=2 V,器件工作在饱和模式时ID=1 mA,为维持器件工作在饱和模式,试求电阻R的变化范围。
第8题
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示,试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off),并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
第9题
场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示,试判断场效应管的类型,画出相应器件符号,确定VGS(th),并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。
第10题
,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2《R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道。
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