场效应管输出特性曲线如图LT3－1所示，试判断场效应管的类型，画出相应器件符号，确定VGS（th)，并在图

，发现欧姆表上阻值仍近似为R1，再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连，得欧姆表上阻值为R2,且R2《R1，试确定该场效应管为N沟道还是P沟道。

图LP3-15所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，若VI=200 mV，μnCoxW／(2l)=0．01mA／V2，VGS(th)=1．5 V，试分别求出VGS=2．5 V、3 V时的VO值，并进行分析。

由有源电阻构成的分压器如图LP3-14所示，设各管μCoxW／(2l)相同，|VGS(th)|=1 V，λ=0，试指出各管工作区及其VO值。

试用图解法确定图LP3-11(a)所示电路的IDQ和VDSQ，场效应管的输出特性曲线如图LP3-11(b)所示。

试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区，且ID=0．5 mA，VDS=-1．5 V，VG=2 V。已知μpCoxW／(2l)=0．5 mA／V2，VGS(th)=-1 V，设λ=0。

设计图LP3-9所示电路，要求P沟道EMOS管工作在饱和区，且ID=0．5 mA，VD=3 V，已知μpCoxW／(2l)=0．5 mA／V2，VGS(th)=-1 V，λ=0。

—N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示，要求场效应管工作于饱和区，ID=1 mA，VDSQ=6 V，已知管子参数为μnCoxW／(2l)=0．25 mA／V2，VGS(th)=2 V，设λ=0，试设计该电路。

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图LP3-7所示，已知VGS(th)=2 V，μnCox=200μA／V2，W=40μm，l=10 μm，设λ=0，要求ID=0．4 mA，VD=1 V，试确定RD、RS值。

在某放大电路中，分别测得两个三极管各电极的对地电位，如图LT2-1所示，试判断它们是NPN型管还是PNP型管?是硅管还是锗管?并区分出e、b、c三个电极。

图LT2-3(a)所示电路，已知VCC=12 V，VBE(on)=0．7 V，β=50，RB1=100 kΩ，RB2=20 kΩ，RC=4 kΩ，RE=1 kΩ，试计算电路的直流工作点。