求习题5－17图所示各电路的等效电阻Rab，其中，R1=R2=1Ω，R3=R4=2Ω，R5=4Ω，G1=G2=IS，R=2Ω。

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图3-10所示，已知V_GS(th)，=2V，μ_nC_ox=200μA/V²，W=40μm，l=10μm。设λ=0，要求I_D=0.4mA，V_D=1V，试确定R_D、R_S值。

双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图LP3-7所示，已知VGS(th)=2 V，μnCox=200μA／V2，W=40μm，l=10 μm，设λ=0，要求ID=0．4 mA，VD=1 V，试确定RD、RS值。

考虑一个N沟道MOSFET，其，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极电流： （1）且，则漏极电流ID=（）mA； （2）且，则漏极电流ID=（）mA；

电路如下图所示，设R₁=R₂=100kΩ，V_DD=5V，R_d=7.5kΩ，V_T=-1V，K_p=0.2mA/V²。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流I_D和漏源电压V_DS。

设N沟道增强型MOSFET的参数为当Vcs=2V_T,MOSFET工作在饱和区,试计算此时场效管的工作电流I_D。

A．(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

B．(a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET, c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

C．(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET;

D．(a)N沟道JFET, (b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道JFET, (d)P沟道增强型MOSFET;

A．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

B．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道

C．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

D．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型

A．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

B．P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道

C．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

D．N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型