A.IGBT
B.IGCT
C.电力二极管
D.运算放大器
第1题
A.肖特基二极管
B.IGBT
C.电力晶体管
D.功率场效应管
第2题
B、GTO
C、GTR
D、IGBT
第3题
A. 快恢复二极管
B. 晶闸管
C. GRT
D. GTO
第4题
A、关断状态时能承受较高端电压,并且漏泄电流近似为零
B、开关处于导通状态时能流过较大电流,而且这时的端电压近似为零
C、导通、关断切换时所需开关时间近似为零
D、器件可以工作在放大状态
第5题
B. MCT
C. 肖特基二极管
D. 可控硅
第6题
B.电力二极管
C.晶闸管
D.RCT
第7题
A、MOSFET
B、GTR
C、GTO
第8题
此题为判断题(对,错)。
第9题
D、MOSFET
E、IGBT
第10题
1. 搜题次数扣减规则:
备注:网站、APP、小程序均支持文字搜题、查看答案;语音搜题、单题拍照识别、整页拍照识别仅APP、小程序支持。
2. 使用语音搜索、拍照搜索等AI功能需安装APP(或打开微信小程序)。
3. 搜题卡过期将作废,不支持退款,请在有效期内使用完毕。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!
您认为本题答案有误,我们将认真、仔细核查,如果您知道正确答案,欢迎您来纠错