第3题
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第4题
A、当栅极电压为零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B、当栅极电压小于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C、当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D、当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
第9题
B、三个电极,分别为栅极g、源极s、漏极d
C、两个PN结,分别是发射结和集电结
D、两个PN结耗尽层
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