第1题
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
第2题
第3题
第4题
第5题
B、源极
C、发射极
D、阻板
第6题
A.发射极,基极,集电极
B.第一基极,发射极,第二基极
C.源极,栅极,漏极
D.阴极,门极,阳极
第7题
B、三个电极,分别为栅极g、源极s、漏极d
C、两个PN结,分别是发射结和集电结
D、两个PN结耗尽层
第8题
第9题
A、阳极、漏极、集电极
B、栅极、集电极、发射极
C、阴极、漏极、集电极
D、阴极、栅极、集电极
第10题
此题为判断题(对,错)。
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