A、三个半导体杂质区,其中两个N区,一个P区
B、三个电极,分别为栅极g、源极s、漏极d
C、两个PN结,分别是发射结和集电结
D、两个PN结耗尽层
第1题
B、P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
第3题
B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
第7题
下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。
第8题
(1)N沟道结型FET。 (2)P沟道结型FET。
(3)N沟道耗尽型MOSFET。 (4)P沟道耗尽型:MOSFEET。
(5)N沟道增强型MOSFET。 (6)P沟道增强型MOSFET。
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