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[主观题]

P沟道结型场效应管的结构,包含了以下哪些主要部分?()

A、三个半导体杂质区,其中两个N区,一个P区

B、三个电极,分别为栅极g、源极s、漏极d

C、两个PN结,分别是发射结和集电结

D、两个PN结耗尽层

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更多“P沟道结型场效应管的结构,包含了以下哪些主要部分?()”相关的问题

第1题

结型场效应晶体管根据结构不同分为()
A、P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B、P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

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第2题

试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。
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第3题

绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()
A、P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

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第4题

简述N沟道结型场效应管的工作原理。
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第5题

简述绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理。
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第6题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?
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第7题

下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

  

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第8题

写出下列各类场效应管工作在放大状态下的uGS、UDS的极性。

  (1)N沟道结型FET。  (2)P沟道结型FET。

  (3)N沟道耗尽型MOSFET。  (4)P沟道耗尽型:MOSFEET。

  (5)N沟道增强型MOSFET。  (6)P沟道增强型MOSFET。

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第9题

结型场效应管利用删源极间所加的正偏电压来改变导电沟道的电阻()

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