下图是一个MOS管的符号及特性。下列说法正确的是哪一个？

A、工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源

B、工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源

C、当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止

D、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件的沟道被夹断

A、PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止

B、NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止

C、PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通

D、NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通

E、NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止

F、NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通

A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源

B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率

C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容

D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失

A、当VGS > VTH，并且0 < VDS < VGS－VTH时，NMOS器件工作在线性区

B、当VGS < VTH时，NMOS器件工作在截止区

C、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件工作在饱和区

D、当当VGS < VTH时，且0 < VDS < VGS－VTH时，NMOS器件工作在深线性区

A、MOS管是电流控制型器件

B、MOS管工作时电子和空穴都参与导电

C、温度上升会使导电因子变大

D、衬底偏置效应会导致阈值电压变大

A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。

B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。

C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。

D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。

A、栅极的接触孔应该开在沟道区外

B、版图中沟道长度L的最小值由工艺决定

C、源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则

D、版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

图示特性是N沟耗尽型MOS管

A、MOS电容是固定电容

B、MOS电容就是MOS栅氧化层电容

C、MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

D、随着栅电压增加，MOS电容会减小