MOS器件的电流电压特性的说法，不正确的是（）

A、工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源

B、工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源

C、当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止

D、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件的沟道被夹断

A、电流

B、电压

C、电阻

A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源

B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率

C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容

D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失

B.电阻

C.跨导

D.跨阻

此题为判断题(对，错)。

A.电子；

B.空穴；

C.钠离子；

D.硅离子。