A.当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时,将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B.随着栅电压的不断提高,耗尽区宽度将逐渐增大。
C.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值,对于PMOS器件是一个负值。
D.p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
第1题
第2题
如图斜导柱滑块机构中,下列说法错误的是
A、在开模的一瞬间,斜导柱和滑块立即进行侧抽芯动作。
B、开模一瞬间,动模型芯与塑件松脱。
C、斜导柱安装在动模。
D、滑块安装在定模。
第6题
A、A.频谱中包含与刺激频率相同的频率成分
B、B.频谱中包含与刺激频率谐波(倍频)相同的频率成分
C、C.低频刺激(<15hz)的诱发幅度大于高频刺激(>30Hz)的诱发幅度
D、D.中频(15~30Hz)刺激不能产生诱发电位
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