假设漏极电流的参考方向均为流入漏极，下图三种特性曲线，分别属于哪一种场效应管______。

对于如图所示的转移特性曲线（电流的参考方向为流入漏极），Q点处的跨导是 。

A、1S

B、2S

C、

D、

一个JFET的转移特性曲线如题1-26图所示，试问：(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压U_p和饱和漏极电流I_DSS各是多少?

  

A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

图题9.13所示为一个场效应管混频器，其中，输入信号电压为u_s(t)=U_smcos(ω_st)，本振信号电压为u_L(t)=U_Lmcos(ω_Lt)，场效应管的转移特性曲线为

  式中，i_D为结型场效应管漏极电流；U_GS为栅极G与源极S之间的电压；I_DSS为栅极G与源极S之间的电压u_GS等于0时的漏极电流；U_p为夹断电压。

  设直流偏置电压为U_GS0。试证明：

  (1)该电路能够实现混频；

  (2)变频跨导

  (3)当U_Lm=|U_p-U_GS0|时，，g₀表示静态工作点上的跨导。

 

A、耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V

B、P沟JFET管，夹断电压VP为2V

C、N沟JFET管，夹断电压VP为2V

D、增强型NMOS管，开启电压为2V

A、增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V

B、耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V

C、增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V

D、耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V

A、VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加

B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小

D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应

A、增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加

B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小

D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应

A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似