以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（）。

A、VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加

B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小

D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应

A、增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加

B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小

D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应

A、可调电阻区的电压范围为VDS<vgs-vth>

B、近漏处比近源处的沟道厚度要小

C、此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系

D、VGS越大，沟道电阻越大

A、N沟道JFET

B、P沟道JFET

C、N沟道增强型MOSFET

D、P沟道耗尽型MOSFET

A、N沟增强型MOSFET

B、P沟增强型MOSFET

C、P沟耗尽型MOSFET

D、N沟耗尽型MOSFET

E、共源放大电路

F、共栅放大电路

G、共漏放大电路

A、N沟道中载流子是电子

B、P沟道中载流子是空穴

C、N沟道有增强型和耗尽型

D、P沟道只有耗尽型

什么是MOSFET的有效沟道长度调制效应？如何抑制有效沟道长度调制效应？

A、

B、

C、

D、

考虑一个N沟道增强型MOSFET，其,,以及.求下列情况下的漏极电流： （1）且； （2）且； （3）且； （4）。

A、N沟道增强型MOS

B、N沟道耗尽型MOS

C、P沟道结型

D、N沟道结型