A.增强型PMOS,开启电压VTP=﹣2V
B.耗尽型PMOS,夹断电压VP=﹣2V
C.增强型NMOS管,开启电压VTP=﹣2V
D.耗尽型NMOS,夹断电压VTP=﹣10V
第1题
A、耗尽型NMOS的转移特性曲线,其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线,其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线,其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线,其开启电压VTN=﹣4V
第2题
A、耗尽型PMOS管,夹断电压VP为2V
B、P沟JFET管,夹断电压VP为2V
C、N沟JFET管,夹断电压VP为2V
D、增强型NMOS管,开启电压为2V
第3题
某场效应管的转移特性如下图所示,此场效应管是: 。
A、N沟道增强型
B、P沟道增强型
C、N沟道耗尽型
D、P沟道耗尽型
第4题
各种类型场效应管的输出特性曲线如图3-15所示,试分别指出各场效应管的类型、符号和VGS(th)(或VGS(off))值,并画出|VDS|=5V时相应的转移特性。
第5题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。
A、P沟道增强型MOS管
B、P沟道耗尽型MOS管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
第6题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。
A、P沟道增强型MOS管
B、P沟道耗尽型MOS管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
第8题
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