本征半导体是指（）的半导体。

A.各处出现的几率相同

B.各处的相位相同

C.各元胞对应点出现的几率相同

D.各元胞对应点的相位相同

A.金刚石型和直接禁带型

B.闪锌矿型和直接禁带型

C.金刚石型和间接禁带型

D.闪锌矿型和间接禁带型

A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴

B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴

C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴

D.自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

A.Wms=0

B.Wms＜0

C.Wms＞0

D.阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性

A.散射机构；

B.复合机构；

C.杂质浓度梯度；

C.表面复合速度。

A.1/4

B.1/e

C.1/e²

D.1/2

A.变大，变大

B.变小，变小

C.变小，变大

D.变大，变小

A.金刚石型和直接禁带型

B.闪锌矿型和直接禁带型

C.金刚石型和间接禁带型

D.闪锌矿型和间接禁带型

A.In（Wm=3.8eV）

B.Cr（Wm=4.6eV）

C.Au（Wm=4.8eV）

D.Al（Wm=4.2eV）

A.载流子发生能谷间散射

B.载流子迁移率增大

C.载流子寿命变大

D.载流子浓度变小